목차 실험 개요 실험 결과 결과 분석 및 고찰 결론 참고 문헌 본문 실험 과정 RCA 세정으로 wafer를 세정 E-beam Evaporator로 SiO2증착 Pattern Mask 위로 Ti 증착 C-V, I-V sweep 측정 실험결과 분석 및 고찰 참고문헌 1 기초전자공학, 대웅, 권갑현 외 6인 공역, 2000 2 반도체소자 공정기술, 청문각, 최성재 역, 2006 3 CMOS 집적회로설계, 청문각, 대한 전자 공학회, 2004 4 CMOS VLSI 공학, 신성, 정강민, 2000 5 Analysis of I-MOS (Impact- Ionization MOS) characteristics using device simulator, 이화여자대학교 과학기술대학원, 이상경, 2005 6 Solid state electronic devices, Ben G. Streetman & Sanjay Kumar Banerjee, Prentice Hall Series in Solid State Physical Electronics, sixth edition 7 ALD 방법으로 형성한 전하 포획 메모리 소자에 관한 연구, 세종대학교 대학원 이한결, 2013 8 Flexible OLED용 플라스틱 기판의 기체차폐성 향상에 관한 연구 석사학위논문 경희대학교 대학원 이선희, 2010 키워드 성능, 증착법, 평가, 이용 |
2016년 6월 6일 월요일
E-Beam 증착법을 이용한 MOS Capacitor 제작 및 성능 평가
E-Beam 증착법을 이용한 MOS Capacitor 제작 및 성능 평가
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