접합 다이오드 특성(레포트)

접합 다이오드 특성(레포트)

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본문 일상생활에서 반도체는 거의 모든 전자제품에 사용된다. 반도체란 전기적인 도체와 절연체 사이의 저항값을 가지는 고체이다. 이번 실험은 반도체의 종류에 하나인 접합 다이오드의 특성을 실험하는 것으로 그중 Si, Ge 다이오드를 사용할 것이다. 실험을 통해 어떠한 상태에서 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 가지는지를 측정하고 그 측정값으로 저항값을 구해 반도체가 가지는 특징이 어떻게 나타내어지는지 알 수 있다. 2. 원리 및 방법(이론) As, N 같은 불순물은 부전하 캐리어(자유전하)수를 증가시켜 특정반도체를 전자가 많은 형태로 만든다. 이것이 N형 반도체이다. 그와 반대로 In, Ga 같은 불순물은 정전하 캐리어(정공: 전자가 빠져나간 자리)수를 증가시킴으로 특정반도체를 양전자가 많은 형태로 만든다.(극성의 형태로 만드는 이것을 도핑이라 함) 이것이 P형 반도체이다. 이 성질이 다른 두 반도체를 결합시켜 만든 부품을 접합 다이오드라 한다. 이 결합 부분 사이에는 공핍영역이 존재하는데 이 영역은 다이오드가 일정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 못하게 한다. 자유전자와 정공이 만났을 때 자유전자는 정공과 결합하고 이 과정에서 정공과 자유전자는 전류 캐리어로서의 기능을 잃는다. 반도체의 다른 부분에서는 새로운 전류 캐리어가 만들어지고 이 움직임은 외부전지전압 V를 가함으로써 제어된다. V정단자를 P형에 부단자를 N형에 연결하면 정공은 V정단자에 의해 반발되고 부단자쪽으로 향하고 자유전자는 부단자에 의해 정단자쪽으로 향하여 정공과 자유전자의 결합이 일어난다. 이 결합으로 다이오드내 전자와 정공이 유리되어 나와 전자는 전지의 정단자쪽으로 정공은 부단자쪽으로 이동하여 재결합과 유리화가 계속 일어나고 외부회로에 일정한 전류의 흐름이 유지되는 원리이다. 만약 V정단자를 N형에 연결하면 정공과 자유전하는 결합부분 반대의 방향으로 이동하게 되어 결합 및 유리화는 이루어지지 않는다. 이러한 경우를 역바이어스라 한다. 실험 과정 기구 및 장치 ◆ Si다이오드, Ge다이오드, 저항250 2W, 전류측정계, 전압측정계(VAK), Bread board, 전압조정기 다이오드에 바이어스 걸기 위 회로와 같이 기구 및 장치를 연결한다. 과정 하고 싶은 말 좀 더 업그레이드하여 자료를 보완하여, 과제물을 꼼꼼하게 정성을 들어 작성했습니다. 위 자료 요약정리 잘되어 있으니 잘 참고하시어 학업에 나날이 발전이 있기를 기원합니다 ^^ 구입자 분의 앞날에 항상 무궁한 발전과 행복과 행운이 깃들기를 홧팅 키워드 레포트, 특성, 다이오드