전자재료실험 MOS Capacitor의 C-V와 I-V 측정

전자재료실험 MOS Capacitor의 C-V와 I-V 측정

[전자재료실험] MOS Capacitor의 C-V와 I-V 측정.hwp

목차 - 목 차 - Ⅰ.실험목적 Ⅱ.실험배경 Ⅲ.실험이론 1. Capacitor 2. MOSFET 3. 공정법 3.1 Photolithography 3.2 Deposition Ⅳ.실험계획 Ⅴ.예상결과 Ⅵ.참고문헌 본문 위의 두 식을 살펴보면 Gate voltage가 상승하게 되면 처음 slope가 상승하게 되고 따라서 saturation voltage도 상승하게 된다. 또한 여기서 Cox는 εox/xox이므로 oxide층의 두께가 두꺼워질수록 앞서본 Vth에 대한 식에 따라 Vth가 커져 ID-VG그래프가 우측으로 shift하게 되고, 그래프의 slope역시 Cox가 작아짐에 따라 줄어들게 된다. IDsat식에서 또한 Cox가 작아지고 제곱값 또한 작아서 IDsat은 작아지게 된다. 3. 공정법 3.1 Photolithography PR(Photoresist)는 액체상태에서 빛에 민감한 재료이다. <Fig.6> PR 그림 <Fig.7> Spinner 장치 Spinner라는 회전을 하는 장치 위에 웨이퍼를 올려놓고 웨이퍼위에 PR을 떨어뜨리는데 위에 약 2~200Å의 두께로 층을 형성하기 위해서는 약 3000rpm의 속도로 회전시키면서 떨어뜨린다. 광막증착에는 Positive와 Negative방식 등이 있는데 Negative Resist는 노출되지 않은 부분만 남겨놓고 PR을 제거하는 방법으로서 약 2.0Å정도의 소자를 만들 때만 사용한다. 참고문헌 Ⅵ. Reference MOSFET 이론 -http://info.tuwien.ac.at/theochem/si-srtio3_interface/si-srtio3.html -http://www.semipark.co.kr/semidoc/basic/mosfet.asp?tm=1&tms=8 E-beam -http://www.yoosung-vacuum.co.kr/kr/product/02.htm 결과예측 -http://119.31.244.56:8888/ip/detailMetaFile.do?identifier=05-000-081119-000018&fileno=1 키워드 MOS, 전자재료실험, IV, Capacitor