트랜지스터의 기초

트랜지스터의 기초

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본문 트랜지스터는 다이오드와는 달리 3단자 소자로서, 소형이고 가볍고 낮은 전압에서 동작하고 전력소모가 적은 특징이 잇다. 그러나 TR은 온도에 민감한 단점이 잇다. 그림 6-1은 TR의 구조와 기호이다. 에미터와 콜렉터 사이에 베이스라고 부르는 아주 얇은 층으로 되어 있다. 보통 베이스 두께는 1mil(0.001inch)정도이다. TR이 증폭기로서 사용되기 위해서는 그림 6-2와 같이 바이어스해야 한다. 즉 에미터와 베이스간은 순방향바이어스를 가하고 베이스와 콜렉터간은 역방향 바이어스가 되도록 직류전원을 연결해야 한다. pnp트랜지스터의 경우, 에미터와 베이스 간에는 주로 에미터의 다수 캐리어인 정공에 의해 전류가 형성된다. 콜렉터가 없다고 가정하면 이 에미터-베이스간 전류는 보통의 다이오드의 경우와 같다. 그러나 p형의 콜렉터가 Vcc의 단자에 연결되면 정공전류의 통로는 달라지게 된다. 에미터에 의해 방출된 정공의 일부는 베이스의 자유전자와 결합하고 나머지 대부분(약 95%이상)의 정공은 매우 엷은 베이스층을 통과하여 콜렉터의 -전원 단자에 도달한다. 에미터는 전류를 형성하는 다수 캐리어의 원천이 되고 에미터-베이스간 전류는 대단히 적고 에미터-콜렉터간 전류는 크다. 또한 에미터-베이스간의 순방향 바이어스를 증가시키면 에미터전류가 증가하고 콜렉터 전류도 증가한다. 에미터전류가 증가하거나 감소할 때 베이스전류의 증가 또는 감소는 대단히 작다. 따라서 콜렉터전류는 에미터-베이스 바이어스에 의해 조절된다. npn형인 경우도 마찬가지인데 다수캐리어가 전자인 점이 다르다. (그림 6-2) 에미터-베이스 단자가 서로 개방되었을 때 콜렉터-베이스간의 역방향 누설전류를 ICBO라고 한다. 이 누설전류는 콜렉터와 베이스에 있는 소수캐리어에 의한 전류인데 실리콘인 겨우 수십 μA정도이다. (그림 6-1) (그림 6-3) 하고 싶은 말 좀 더 업그레이드하여 자료를 보완하여, 과제물을 꼼꼼하게 정성을 들어 작성했습니다. 위 자료 요약정리 잘되어 있으니 잘 참고하시어 학업에 나날이 발전이 있기를 기원합니다 ^^ 구입자 분의 앞날에 항상 무궁한 발전과 행복과 행운이 깃들기를 홧팅 키워드 기초, 트랜지스터