접합다이오드 예비레포트

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본문 인듐(In) 또는 갈륨(Ga) 등 양전하 캐리어수를 많게하는 불순물을 도핑한 반도체로 소수의 전자, 다수의 정공(양전하)이 존재한다. N형 반도체 비소(As) 또는 안티몬(Sb) 등 음전하 캐리어수를 많게하는 불순물을 도핑한 반도체로 다수의 전자, 소수의 정공(양전하)이 존재한다. PN접합 다이오드 P형 반도체와 N형 반도체를 서로 접합시킨 것 //////////////////////////////////// 위키백과 인용 //////////////////////////////////// p-n접합이 처음 생성되면, N영역의 자유영역 전자들이 정공이 많은 P영역으로 확산된다. 자유 전자들이 정공과 결합한 후에는 정공은 사라지며 전자들은 더 이상 자유롭지 못하게 된다. 따라서 두 속성의 전하 캐리어들(정공과 전자)이 모두 사라지고, p-n 접합 주변 지역은 마치 부도체인 것처럼 동작한다. 이를 재결합이라고 한다. 하지만 소모층의 크기에는 한계가 있고 얼마 후에는 재결합이 끝난다. 이때 외부 전압을 다이오드 소모층에 생긴 built-in potential과 같은 극방향으로 걸어주면, 소모층은 계속해서 부도체처럼 동작하고 전류의 흐름을 막는다. 이와 반대로 built-in potential과 반대 극 방향으로 외부 전압을 걸어주면, 재결합을 다시 시작한다. 결국 p-n접합을 지나 상당한 양의 전류가 흐른다. /////////////////// 출처 : http://blog.naver.com/tksvo/150042527877 /////////////////// 하고 싶은 말 좀 더 업그레이드하여 자료를 보완하여, 과제물을 꼼꼼하게 정성을 들어 작성했습니다. 위 자료 요약정리 잘되어 있으니 잘 참고하시어 학업에 나날이 발전이 있기를 기원합니다 ^^ 구입자 분의 앞날에 항상 무궁한 발전과 행복과 행운이 깃들기를 홧팅 키워드 예비레포트, 접합다이오드, 예비레, 포트, 다이오드