[레포트] 전기전자응용실험-전반부(ABEEK인증 실험과목)[연세대].hwp |
본문 2장. 소자 모델링 1.MOSFET 소자의 모델링 위의 그림은 MOSFET내부를 나타낸 그림입니다. 전압 Vgs가 가해지면 channel region이 형성되고 이 공간을 통해 전류가 흐르는 것이 가능해 집니다. (1)여기 전압 Vds를 조금 씩 증가시키면서 가하면, channel을 따라 흐르는 전류 Id는 위의 그래프와 같이 증가합을 볼 수 있습니다.(여기서 맨 아래의 선은 전류가 흐르지 않는 cut-off 영역입니다.) 즉 Vgs<Vt인 경우에는 어떤 경우에도 전류가 흐르지 않는 다는 것을 알 수 있습니다. 또한 Vgs의 크기가 커짐에 따라 그래프의 기울기도 커지는 것을 볼 수 있습니다. (2)이번에는 Vgs>Vt인 Vgs를 고정값으로 주고 Vds를 증가시키면서 Id를 측정을 하면 위와 같은 그래프를 얻을 수 있다고 합니다. 여기서 주목해야 할 것은 Vds가 (Vgs-Vt)이상의 값을 같을 때 Vds는 더 이상 전류 Id에 영향을 주지 않는 다는 것입니다. 따라서 이것을 경계로 triode영역과 saturation영역을 나눌 수 있습니다. 하고 싶은 말 좀 더 업그레이드하여 자료를 보완하여, 과제물을 꼼꼼하게 정성을 들어 작성했습니다. 위 자료 요약정리 잘되어 있으니 잘 참고하시어 학업에 나날이 발전이 있기를 기원합니다 ^^ 구입자 분의 앞날에 항상 무궁한 발전과 행복과 행운이 깃들기를 홧팅 키워드 전류, 모델링, 이상, 여기, 그래프, 이상의 |
2018년 10월 28일 일요일
레포트 전기전자응용실험-전반부(ABEEK인증 실험과목)연세대
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